| 型号： | BCR 183L3 E6327 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | TRANSISTOR PNP DGTL AF TSLP-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| BCR 183L3 E6327 PDF |  |
| 标准包装 | 15,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 10k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 10k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 5mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 供应商设备封装 | PG-TSLP-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BCR183L3E6327XT SP000013565 |